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研究チームは、コンパクトな機器での磁場検出を大幅に改善した磁気抵抗に関するセンサーを開発しました。
研究チームは、新しい半導体における磁場を印加したときに生じる電気抵抗の変化を低温で測定し、磁気センサーへの応用の可能性を評価した。
研究者たちは低温で新合金における、印加された磁場が電流の流れる物質の抵抗率に与える変化を測定した。
新たに開発された磁気抵抗性のある薄膜は、変化する磁場下でセンサーの感度を大幅に向上させた。
最近の実験では薄膜試料において驚くほど大きな磁気抵抗効果が明らかになり、その微視的起源をさらに調査することになった。
研究者たちは、量子相転移を研究するために、薄膜の磁気抵抗率の値を広い温度範囲で測定した。
研究者たちは多層薄膜で巨大磁気抵抗効果を観測し、強磁性層と非磁性層の間に予測された量子力学的結合を確認した。
最近の実験では、薄膜が低温で顕著な巨大磁気抵抗効果を示すことが分かりました。
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