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結晶格子では、余分に電子を3個持って電荷が−3のヒ素イオン（As^3−）が格子間位置に入り、金属陽イオンの正電荷を中和していた。
その研究論文は、高速半導体に用いられる数種類のヒ素化物の電子特性を比較しました。
極めて毒性が強いため、ヒ素化水素はフード内で訓練を受けた担当者のみが取り扱うべきです。
研究者たちは隕石試料から新しい白金ヒ素化物（PtAs₂）の脈を確認した。
研究チームは高効率の赤外線光検出器を製造するためにヒ素化ガリウム（GaAs）を使用した。
エンジニアたちは、次世代半導体での可能性と非常に高い熱伝導率のために、ホウ素とヒ素の二元化合物（BAs）を研究しています。
研究者たちは実験のために高電子移動度トランジスタを作製する際、ヒ素化インジウム（InAs）を使用した。
研究チームはレーザーダイオードの効率を向上させるために、アルミニウムガリウム砒素化合物の成長条件を最適化した。
研究チームは、活性層にヒ素化ガリウムとリン化ガリウムの混合物からなる半導体を用いた高効率LEDを開発した。
研究者たちは光電子デバイスの試験用に、複数の高純度ガリウムヒ素リン化合物を合成した。
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