TDMAGe
Tetrakis(dimethylamino)germanium, a metalorganic source for germanium nitride (GeN) in MOCVD of semiconductors. It grows GeN instead of Ge, and is used at either high temperatures (600-800 C) or with plasma because of its very low vapor pressure and higher decomposition temperature.
テトラキス(ジメチルアミノ)ゲルマニウム。半導体のMOCVD（化学気相成長法）プロセスで、ゲルマニウム窒化物（GeN）の成長に用いられる金属有機化合物。通常、低蒸気圧かつ高い分解温度（600～800°Cまたはプラズマを使用）を持つため、ゲルマニウム自体の成長ではなく、GeNの成長を促進する。
復習用の問題
Tetrakis(dimethylamino)germanium, a metalorganic source for germanium nitride (GeN) in MOCVD of semiconductors. It grows GeN instead of Ge, and is used at either high temperatures (600-800 C) or with plasma because of its very low vapor pressure and higher decomposition temperature.
TDMAGe
In our MOCVD experiments, TDMAGe preferentially forms germanium nitride films and requires either high growth temperatures (600–800 °C) or plasma assistance due to its very low vapor pressure and high decomposition temperature.
In our MOCVD experiments, TDMAGe preferentially forms germanium nitride films and requires either high growth temperatures (600–800 °C) or plasma assistance due to its very low vapor pressure and high decomposition temperature.
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