私たちのMOCVD実験では、テトラキス(ジメチルアミノ)ゲルマニウムはゲルマニウム窒化物膜を優先的に形成し、極めて低い蒸気圧と高い分解温度のために、成長には高温（600〜800℃）かプラズマの助けが必要です。
復習用の問題
In our MOCVD experiments, TDMAGe preferentially forms germanium nitride films and requires either high growth temperatures (600–800 °C) or plasma assistance due to its very low vapor pressure and high decomposition temperature.
In our MOCVD experiments, TDMAGe preferentially forms germanium nitride films and requires either high growth temperatures (600–800 °C) or plasma assistance due to its very low vapor pressure and high decomposition temperature.
関連する単語
TDMAGe
Tetrakis(dimethylamino)germanium, a metalorganic source for germanium nitride (GeN) in MOCVD of semiconductors. It grows GeN instead of Ge, and is used at either high temperatures (600-800 C) or with plasma because of its very low vapor pressure and higher decomposition temperature.
テトラキス(ジメチルアミノ)ゲルマニウム。半導体のMOCVD（化学気相成長法）プロセスで、ゲルマニウム窒化物（GeN）の成長に用いられる金属有機化合物。通常、低蒸気圧かつ高い分解温度（600～800°Cまたはプラズマを使用）を持つため、ゲルマニウム自体の成長ではなく、GeNの成長を促進する。
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