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二級ホスフィン(R₂P–H)は触媒サイクルで配位子として働き、その孤立電子対を介して金属中心に配位した。
副生成物として生じた一般式R₃P=Oを有する化合物は精製され、NMR分光法で解析されました。
研究チームは、触媒サイクルの中間体として H₂POH(ホスフィヌス酸)を単離した。
触媒サイクルは、一般式PR3(Rは水素以外)に該当するホスフィンが金属中心から解離したときに停止した。
化学式H2P(=O)OHで表される酸は、遷移金属錯体の配位子としてしばしば用いられ、そのP–H結合の反応性が独自の触媒反応経路を可能にします。
合成中に生成したR3P=S型化合物(ホスフィン硫化物)は31P NMRで特徴付けられました。
ホスフィン硫化物は、不斉触媒や材料科学への応用のためによく研究されています。
合成中、微量の不純物が一部のホスフィンオキシド類を対応する硫化物に変化させ、精製を複雑にした。
第三級ホスフィン類は均一系触媒の配位子として一般的に用いられる。
二級ホスフィンは、立体および電子的性質の両方を微調整するために遷移金属触媒の配位子として一般的に用いられる。
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