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ミリケルビンの温度では、その量子ドットは、低温で半導体デバイスに見られる電子輸送を抑制する顕著な抵抗の増加を示した。
シングル電子トランジスタの伝導度測定では、クーロン遮断現象がはっきりと確認された。
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