最終更新日：2026/01/01
例文
Mascher
et
al.
(1989b)
presented
a
correlated
investigation
of
electron-irradiation-induced
divacancies
in
silicon
by
positron
annihilation,
electron
paramagnetic
resonance
(EPR),
and
infrared
absorption.
The
defects
were
created
by
2-MeV
irradiation
of
Czochralski-grown
Si
at
room
temperature
to
a
dose
of
1×10¹⁸
cm⁻².
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復習用の問題
Mascher et al. (1989b) presented a correlated investigation of electron-irradiation-induced divacancies in silicon by positron annihilation, electron paramagnetic resonance (EPR), and infrared absorption. The defects were created by 2-MeV irradiation of Czochralski-grown Si at room temperature to a dose of 1×10¹⁸ cm⁻².
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