The research team measured carrier mobility in the strained silicon grown on a silicon-germanium substrate.
研究チームは、シリコンゲルマニウム基板上に堆積され、シリコン原子が通常よりも広い間隔に保たれているシリコン層のキャリア移動度を測定した。
アカウントを持っていませんか？ 新規登録
アカウントを持っていますか？ ログイン
DiQt（ディクト）
無料
★★★★★★★★★★
