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研究者たちは、消費電力を削減し不揮発性ストレージの性能を向上させるために、抵抗の変化でビットを記憶するランダムアクセスメモリの一種を開発しています。
研究者たちは、モバイル機器向けにより高速で省エネルギーな不揮発性ストレージを実現するために、抵抗性ランダムアクセスメモリを研究している。
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