strained silicon

名詞

A layer of silicon atoms deposited onto a substrate of silicon germanium constrained to be wider apart than normal; this decreases resistance and increases performance when made into a chip.

日本語の意味

シリコン・ゲルマニウム基板上に堆積されたシリコン原子層が、通常よりも原子間の距離を広げるように拘束され、その結果、抵抗が低下し、チップ化する際の性能が向上する状態。 / すなわち、電荷キャリアの移動度を向上させるために意図的に歪み（ストレイン）を与えたシリコン層を指す。

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The research team measured carrier mobility in the strained silicon grown on a silicon-germanium substrate.

Google翻訳 / DeepL翻訳

研究チームは、シリコンゲルマニウム基板上に堆積され、シリコン原子が通常よりも広い間隔に保たれているシリコン層のキャリア移動度を測定した。

詳細

意味（1）

A layer of silicon atoms deposited onto a substrate of silicon germanium constrained to be wider apart than normal; this decreases resistance and increases performance when made into a chip.

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