To identify trace impurities in the semiconductor sample, we relied on SIMS for depth profiling.
半導体試料中の微量不純物を特定するために、深さ方向プロファイリングには二次イオン質量分析法を用いました。
アカウントを持っていませんか？ 新規登録
アカウントを持っていますか？ ログイン
DiQt（ディクト）
無料
★★★★★★★★★★
