Last Updated:2025/12/06
The semiconductor lab successfully grew a defect-free silicon ingot using the Czochralski technique.
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The semiconductor lab successfully grew a defect-free silicon ingot using the Czochralski technique.
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半導体研究所はチョクラルスキー法を用いて欠陥のないシリコンインゴットの成長に成功した。