Last Updated：2025/11/29
Researchers used indium arsenide to fabricate high-electron-mobility transistors for the experiment.
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Researchers used indium arsenide to fabricate high-electron-mobility transistors for the experiment.
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研究者たちは実験のために高電子移動度トランジスタを作製する際、ヒ素化インジウム（InAs）を使用した。
