Last Updated：2025/11/26
The research team applied the Czochralski process to pull single-crystal silicon ingots for high-performance semiconductor devices.
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The research team applied the Czochralski process to pull single-crystal silicon ingots for high-performance semiconductor devices.
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研究チームは高性能な半導体デバイス向けの単結晶シリコンインゴットを作製するため、チョクラルスキ法を適用した。
