Last Updated：2025/11/25
During device testing, engineers observed the narrow-width effect causing unexpected threshold shifts in the sub-halfmicron transistors.
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During device testing, engineers observed the narrow-width effect causing unexpected threshold shifts in the sub-halfmicron transistors.
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デバイス試験中、エンジニアは特定元素の移動と局所酸化によって引き起こされる、サブハーフミクロン半導体における閾値電圧の異常な挙動を観測し、その結果トランジスタの閾値が予期せずシフトすることを確認した。
