Last Updated:2025/11/21
The research team demonstrated controlled epitaxy of silicon on sapphire, producing defect-free films suitable for device fabrication.
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The research team demonstrated controlled epitaxy of silicon on sapphire, producing defect-free films suitable for device fabrication.
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研究チームは、アルミナ上でシリコンが基板と同じ配向で成長する制御されたエピタキシーを実証し、デバイス製造に適した欠陥のない薄膜を作製した。